尼康光刻机10(尼康光刻机多少纳米)

1. 尼康光刻机多少纳米

荷兰阿斯麦尔公司的光刻机。

中芯国际14纳米芯片用的是荷兰阿斯麦尔公司的光刻机，可能还有少量日本的光刻机。目前全球只有四家公司能够制造光刻机，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子。而中芯国际的光刻机是duv光刻机，荷兰阿斯麦尔的光刻机市场占有率在90%左右。上海微电子去年28纳米才通过技术检测和验证，目前还未有消息量产。所以中芯国际14纳米用的是荷兰阿斯麦尔光刻机。

2. 尼康光刻机最好水平

荷兰，日本，中国。

目前在制造光刻机领域中，荷兰已经达到了领先全球的水平，荷兰的ASML公司占据了全球市场份额的80%.

日本和中国也可以制造出光刻机。日本代表的企业是佳能和尼康，中国的代表企业是上海微电子。

3. 尼康光刻机多少nm

90年代前半期，光刻开始使用波长365nm i－line，后半期开始使用248nm的KrF激光。激光的可用波长就那么几个，00年代光刻开始使用193nm波长的DUV激光，这就是著名的ArF准分子激光，包括近视眼手术在内的多种应用都应用这种激光，相关激光发生器和光学镜片等都比较成熟。

但谁也没想到，光刻光源被卡在193nm无法进步长达20年。直到今天，我们用的所有手机电脑主芯片仍旧是193nm光源光刻出来的。

90年代末，科学家和产业界提出了各种超越193nm的方案，其中包括157nm F2激光，电子束投射（EPL），离子投射（IPL）、EUV（13.5nm）和X光，并形成了以下几大阵营：

157nmF2：每家都研究，但SVG和尼康离产品化最近。

157nm光会被现有193nm机器用的镜片吸收，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25％，研发投入产出比太低。ASML收购SVG后获取了反射技术，2003年终于出品了157nm机器，但错过时间窗口完败于低成本的浸入式193nm。

13.5nmEUV LLC：英特尔，AMD，摩托罗拉和美国能源部。ASML、英飞凌和Micron后来加入。

关于EUV，我放到后面在说吧。

1nm接近式X光：日本阵营（ASET， Mitsubishi， NEC， Toshiba， NTT）和 IBM

这算是个浪漫阵营吧，大家就没想过产业化的事

0.004nmEBDW或EPL： 朗讯Bell实验室，IBM，尼康。ASML和应用材料被邀请加入后又率先退出。

这是尼康和ASML对决的选择，尼康试图直接跨越到未来技术击败ASML，但可惜这个决战应该发生在2020年而不是2005年，尼康没有选错技术但是选错了时间。尼康最重要的技术盟友IBM在2001年也分心加入了EUV联盟。

0.00005nmIPL： 英飞凌、欧盟。ASML和莱卡等公司也有参与。

离子光刻从波长来看是最浪漫的，然而光刻分辨率不光由波长决定，还要看NA。人类现有科技可用离子光刻的光学系统NA是0.00001，比193nm的NA＝0.5～1.5刚好差10万倍，优势被抵消了。

以上所有努力，几乎全部失败了。

它们败给了一个工程上最简单的解决办法，在晶圆光刻胶上方加1mm厚的水。水可以把193nm的光波长折射成134nm。

浸入式光刻成功翻越了157nm大关，直接做到半周期65nm。加上后来不断改进的高NA镜头、多光罩、FinFET、Pitch－split、波段灵敏的光刻胶等技术，浸入式193nm光刻机一直做到今天的7nm（苹果A12和华为麒麟980）。

2002年台积电的林本坚博士在一次研讨会上提出了浸入式193nm的方案，随后ASML在一年的时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程友好性。

随后，台积电也是第一家实现浸入式量产的公司，随后终于追上之前制程技术遥遥领先的英特尔，林博士因此获得了崇高的荣誉和各种奖项。

MIT的林肯实验室似乎不服气，他们认为自己在2001年就提出了这个浸入式方案。ASML似乎也没有在任何书面说明自己开发是受林博士启发。

其实油浸镜头改变折射率的方式由来已久，产业界争论是谁的想法在先从来不重要，行胜于言。林博士的贡献是台积电和ASML通力合作把想法变成了现实。

4. 尼康5nm光刻机

没造出7nm光刻机。

尼康没有造出7nm光刻机。所谓7nm光刻机就是euv光刻机。目前全球只有四家公司能够制造光刻机，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国台积电。其中荷兰阿斯麦尔的euv光刻机是最高端的，而日本尼康制造的光刻机是duv，比euv差了一代。目前尼康和佳能也没有能力制造7nm光刻机。

5. 尼康光刻机多少纳米了

美国目前并不生产中高端光刻机。

全球能制造光刻机的国家为荷兰的阿斯麦尔，日本的尼康和佳能，中国的上海微电子。其中荷兰阿斯麦尔在45纳米以下高端光刻机市场占有率达80%，并且是唯一能够达到7纳米精度的光刻机提供商。美国虽然不生产光刻机，但生产光刻机中的一个重要部件既13.5纳米极紫外光光源。并且很多为阿斯麦尔提供零部件的公司都是美国资本在控股，也就是说美国有能力控制高端光刻机制造和销售。

6. nikon光刻机的关键参数

世界上最好的光刻机不是来自美国，韩国，英国、日本等这些芯片强国，而是来自荷兰。

光刻机是生产大规模集成电路的核心设备，是制造和维护光学和电子工业的基础。光刻机技术目前是世界上最尖端的技术之一，只有少量国家掌握，所以光刻机的价格是非常昂贵的，世界上顶级光刻机就是荷兰生产组装的光刻机，一台高端的光刻机甚至可以卖到6亿元左右（目前全球最贵的EUV光刻机单台售价已经超过6.3亿元），即便卖这么贵还供不应求，很多订单都需要排队生产，甚至有部分国家给再多的钱也买不到。

世界上最顶尖的光刻机

现在世界上最先进的光刻机是荷兰的ASML，其次就是日本的NIKON和日本的CANON，这三个品牌是世界上最好的了，荷兰的最好，因为荷兰的是各国高科技的合成产品，最主要的光源和镜头来自德国，荷兰的光刻机90%的零配件是全世界采购，一台光刻机的配件超过五万的零件，90%的配件来自全世界，也就是说约四万五千个零件来自世界各地。

目前在全球45纳米以下高端光刻机市场当中，荷兰ASML市场占有率达到80%以上，而且目前ASML是全球唯一能够达到7纳米精度光刻机的提供商，所以ASML才是全球芯片业真正的超级霸主一点都不过分。正因为得益于技术领先，目前ASML的市场份额也是很大的，目前全球知名芯片厂商包括英特尔、三星、台积电、SK海力士、联电、格芯、中芯国际、华虹宏力、华力微等等全球一线公司都是ASML的客户

7. 尼康光刻机制程

浸润式光刻机，分辨率可达到7nm及以下。

再是佳能，其干式光刻机，可实现55nm及以上的分辨率，上海微电子也是干式光刻机，分辨率标注为90nm。

8. 尼康光刻机工作原理

1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展。

1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。

1960年代，仙童提出CMOS IC制造工艺，第一台IC计算机IBM360，并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。

1970年代，GCA开发出第一台分布重复投影曝光机，集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。

1980年代，美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点。

1990年代，Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5L步进机；ASML推出FPA2500，193nm波长步进扫描曝光机。光学光刻分辨率到达70nm的“极限”。

2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，NGL正在研究，包括极紫外线光刻技术、电子束光刻技术、X射线光刻技术、纳米压印技术等。

与此同时，荷兰光刻机巨头阿斯麦ASML，占据了63%的市场份额，产品集中在中高端的极紫外光刻EUV和深紫外光刻DUV上。

然而在2004年前，尼康是当之无愧的带头大哥，尼康一直将光刻机作为自己的核心产品，也是让日本企业引以为傲的“民族之光”，甚至当年能到尼康从事光刻机的研发一度成为众多日本大好青年的愿景。

再看ASML的基础并不好。从1984年诞生后的20年，ASML就一直是一个谜一样的存在，没有什么人会觉得ASML能够有什么未来，甚至包括他们自己。

早期ASML还叫做ASM，生存无望，之能找人投奔，后来飞利浦动了恻隐之心，在总部大厦旁边的空地上给ASML弄了几个简易厂房，ASML当时很艰苦，能活20年全靠日积月累出来的“销售手艺”。

魔幻的是，这点“手艺”居然成为了日后ASML登顶的关键。

苦苦支撑20年，ASML终于等待了他们第一个贵人——台积电鬼才林本坚，一个可以比肩张忠谋的人物。如果说张忠谋缔造了台积电的前20年，林本坚就为台积电的后二十年挣下了巨大的家当。

林本坚1942年出生于越南，中国台湾人，祖籍广东潮汕。林本坚1970年获得美国俄亥俄州立大学电机工程博士学位，2008年当选美国国家工程学院院士。在加入台积电之前，林本坚在IBM从事成像技术的研发长达22年，是当时世界无二的顶级微影专家。

2000年，林本坚在当时台积电研发长蒋尚义的邀请下加入台积电，开启了真正“彪悍的人生”。

在IBM最后几年，林本坚其实已经看到了傲慢的IBM在微影领域的大厦将倾。他希望IBM能够给予他当时微影部门所研发的X光光刻技术1/10的经费，用来“做点东西”，然而IBM因为其华人的身份，并不打算买账。

后来林本坚回忆说：“我判断到65纳米（干式光刻）阶段时，让我再往前看三代的话，我就已经看不到了。”

于是在众多人陷入X光光刻技术无法自拔的时候，林本坚义无反顾地投入了浸润式光刻技术的研究中。

终于在2002年，已经加入台积电的他研究出以水作为介质的193纳米浸润式光刻技术。也就是在2002年，冥冥之中宣告了过往干式光刻机的死刑。

浸润式光刻技术让摩尔定律继续延伸，后来台积电也因此领先竞争对手超过5年。

然而任何一项颠覆式新技术的出现，总会受到来自于传统势力巨大的阻力。林本坚的浸润式光刻，几乎被尼康、佳能、IBM等所有巨头封杀，尼康甚至向台积电施压，要求雪藏林本坚。

巨头的陨落，总是如出一辙。当年1947年12月，大名鼎鼎的美国贝尔实验室的肖克利（“晶体管之父”）、巴丁和布拉顿共同研制出了一种点接触型的锗晶体管！（三人因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖）

9. 尼康duv光刻机

没有被叫停。

光刻机目前仅有四个国家能够制造，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子，光刻机是高端科技的集合，任何国家都不可能被叫停。只不过美国掌握的荷兰阿斯麦尔对我们采取高端euv光刻机禁售。而我国上海微电子去年底通过了中端duv光刻机的技术检测和验证，预计今年能为企业提供全套设备。对我国来说光刻机是大力发展的趋势，不可能被叫停。